之前本站發(fā)表過一般關(guān)于怎么看電腦內(nèi)存的文章，里邊沒有提到內(nèi)存時序的概念。雖然內(nèi)存時序也是關(guān)系到內(nèi)存性能的一個重要參數(shù)，但是對于普通用戶而言，要想真正的了解它并非易事，就連很多高手對它也只是一知半解。
簡單的來說，我們可以從主板BIOS里面設(shè)置內(nèi)存時序。找到內(nèi)存的設(shè)置選項，把參數(shù)調(diào)低，數(shù)字越小代表延遲越低，速度也就越快，然而速度越快內(nèi)存也就越不穩(wěn)定，最后有可能都開不了機(jī)，只能通過清除bios復(fù)原參數(shù)了。
因此普通用戶只需要了解內(nèi)存時序怎么看就可以了，本文前邊會給大家介紹查看內(nèi)存時序的方法，后邊是關(guān)于內(nèi)存時序的專業(yè)性內(nèi)容，有興趣的朋友或者極限硬件發(fā)燒友可以參考一下。
一、內(nèi)存時序怎么看？
1、有些內(nèi)存可以直接從外包裝或內(nèi)存表面的標(biāo)簽辨別它的時序，如圖：
上圖內(nèi)存的時序就是紅色方框內(nèi)所示的：9-9-9-24
2、用軟件cpu-z查看內(nèi)存的時序，如圖：
圖中紅色方框內(nèi)顯示的就是內(nèi)存時序，這張圖中內(nèi)存的時序是：6-6-6-18
二、內(nèi)存時序怎么調(diào)？（以下內(nèi)容能堅持看完，并且看的懂的筆者都要膜拜了！O(∩_∩)O~
與傳統(tǒng)的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：雙倍速率SDRAM），最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上，其在時鐘信號上升緣與下降緣時各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率為傳統(tǒng) SDRAM的兩倍。同樣地，對于其標(biāo)稱的如DDR400，DDR333，DDR266數(shù)值，代表其工作頻率其實僅為那些數(shù)值的一半，也就是說DDR400 工作頻率為200MHz。
FSB與內(nèi)存頻率的關(guān)系
首先請大家看看FSB(Front Side Bus：前端總線)和內(nèi)存比率與內(nèi)存實際運(yùn)行頻率的關(guān)系。
對于大多數(shù)玩家來說，F(xiàn)SB和內(nèi)存同步，即1:1是使性能最佳的選擇。而其他的設(shè)置都是異步的。同步后，內(nèi)存的實際運(yùn)行頻率是FSBx2，所 以，DDR400的內(nèi)存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB為240MHz，則同步后，內(nèi)存的實際運(yùn)行頻率為240MHz x 2 = 480MHz。
FSB與不同速度的DDR內(nèi)存之間正確的設(shè)置關(guān)系
強(qiáng)烈建議采用1：1的FSB與內(nèi)存同步的設(shè)置，這樣可以完全發(fā)揮內(nèi)存帶寬的優(yōu)勢。
內(nèi)存時序設(shè)置
內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置正確與否，將極大地影響系統(tǒng)的整體性能。下面我們將針對內(nèi)存關(guān)于時序設(shè)置參數(shù)逐一解釋，以求能讓大家在內(nèi)存參數(shù)設(shè)置中能有清晰的思路，提高電腦系統(tǒng)的性能。
涉及到的參數(shù)分別為：
CPC : Command Per Clock
可選的設(shè)置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進(jìn)行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選 擇。這個參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。
顯然，CPC越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數(shù)調(diào)長。目前的大部分主板都會自動設(shè)置這個參數(shù)。
該參數(shù)的默認(rèn)值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設(shè)置為Enable(1T)。
tCL : CAS Latency Control(tCL)
可選的設(shè)置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我們在查閱內(nèi)存的時序參數(shù)時，如“3-4-4-8”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數(shù)，即CL參數(shù)。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說 是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請求觸發(fā)后，最初是 tRAS（Activeto Precharge Delay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束 就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要 的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同 時，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對內(nèi)存超頻時，應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設(shè)為3。
tRCD : RAS to CAS Delay
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的第2個參數(shù)，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數(shù)值越小，性能越好。對內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在 JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設(shè)置為3或2，但如果該值設(shè)置太低，同樣會導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時， 系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。
如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。
tRAS : Min RAS Active Timing
可選的設(shè)置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
該值就是該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的最后一個參數(shù)，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5－10之間。這個參數(shù)要根據(jù)實際情況而定，并 不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導(dǎo)致已被激活的行地址會更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太 短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應(yīng)該設(shè)置為7個時鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯誤 或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的第3個參數(shù)，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。
tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數(shù)設(shè)置太長會導(dǎo)致所有的行激活延遲過長，設(shè)為2可以減少預(yù)充電時間，從而更快地激 活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對大多數(shù)內(nèi)存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作。對于桌面計算機(jī) 來說，推薦預(yù)充電參數(shù)的值設(shè)定為2個時鐘周期，這是最佳的設(shè)置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR 內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個時鐘周期。
一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無法使用2的值，需要超頻才可以達(dá)到該參數(shù)。
tRC : Row Cycle Time(tRC)
可選的設(shè)置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時間”，它是包括行單元預(yù)充電到激活在內(nèi)的整個過程所需要的最小的時鐘周期數(shù)。其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設(shè)置該參數(shù)之前，你應(yīng)該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鐘周期后激活新的地址而 等待無謂的延時，而降低性能。然后一旦該值設(shè)置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。在這種情況下，仍會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失和損壞。
因此，最好根據(jù)tRC = tRAS + tRP進(jìn)行設(shè)置，如果你的內(nèi)存模塊的tRAS值是7個時鐘周期，而tRP的值為4個時鐘周期，則理想的tRC的值應(yīng)當(dāng)設(shè)置為11個時鐘周期。
tRFC : Row Refresh Cycle Time
可選的設(shè)置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次 發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
通常tRFC的值不能達(dá)到9，而10為最佳設(shè)置，17-19是內(nèi)存超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數(shù)穩(wěn)定值為tRC加上2-4個時鐘周期。
tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
可選的設(shè)置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。
Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發(fā)送激活指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。
延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進(jìn)行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。于桌面計算機(jī)來說，推薦 tRRD值設(shè)定為2個時鐘周期，這是最佳的設(shè)置，此時的數(shù)據(jù)膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將 影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個時鐘周期。
tWR : Write Recovery Time
可選的設(shè)置：Auto，2，3。
Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復(fù)延時”。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預(yù)充電前，必須等待多少個時鐘周期。這段必須的時鐘周期用來確保在預(yù) 充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電 操作，會導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。
如果你使用的是DDR200和266的內(nèi)存，建議將tWR值設(shè)為2；如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設(shè)為3。
tWTR : Write to Read Delay
可選的設(shè)置：Auto，1，2。
Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數(shù)據(jù)進(jìn)入讀指令。它設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊中的同一個單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。
tWTR值為2在高時鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種情況下，也使得內(nèi)存芯片運(yùn)行于高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以 讓內(nèi)容模塊運(yùn)行于比其默認(rèn)速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設(shè)為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的 值設(shè)為1，如果系統(tǒng)不穩(wěn)定，則改為2。
tREF : Refresh Period
可選的設(shè)置：Auto， 0032-4708，其步進(jìn)值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內(nèi)存模塊的刷新周期。
先請看不同的參數(shù)在相同的內(nèi)存下所對應(yīng)的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這里表示該刷新周期尚無對應(yīng)的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。
1552= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2592= 166mhz(?.??s)
3120= 200mhz(?.??s)
---------------------
3632= 100mhz(?.??s)
4128= 133mhz(?.??s)
4672= 166mhz(?.??s)
0064= 200mhz(?.??s)
---------------------
0776= 100mhz(?.??s)
1032= 133mhz(?.??s)
1296= 166mhz(?.??s)
1560= 200mhz(?.??s)
---------------------
1816= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2336= 166mhz(?.??s)
0032= 200mhz(?.??s)
---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用Auto選項，主板BIOS將會查詢內(nèi)存上的一個很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存儲了內(nèi)存條的各種相關(guān)工作參數(shù)等信息，系統(tǒng)會自動根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)中最保守的設(shè)置來確定內(nèi)存的運(yùn)行參數(shù)。如過要追求最優(yōu)的性能，則需 手動設(shè)置刷新周期的參數(shù)。一般說來，15.6us適用于基于128兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為16MB的內(nèi)存），而7.8us適用于基于256兆位 內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為32MB的內(nèi)存）。注意，如果tREF刷新周期設(shè)置不當(dāng)，將會導(dǎo)致內(nèi)存單元丟失其數(shù)據(jù)。
另外根據(jù)其他的資料顯示，內(nèi)存存儲每一個bit，都需要定期的刷新來充電。不及時充電會導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的存儲單位是 bit。陣列中的每個bit都能被隨機(jī)地訪問。但如果不充電，數(shù)據(jù)只能保存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時數(shù)據(jù)就被重寫 一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性存儲器。一般通過同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO內(nèi)存每刷新 一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的內(nèi)存每列的刷新時間為15.6?s x2048行=32ms。
tREF和tRAS一樣，不是一個精確的數(shù)值。通常15.6us和3.9us都能穩(wěn)定運(yùn)行，1.95us會降低內(nèi)存帶寬。很多玩家發(fā)現(xiàn)，如果內(nèi)存質(zhì)量優(yōu)良，當(dāng)tREF刷新周期設(shè)置為3120=200mhz(?.??s)時，會得到最佳的性能／穩(wěn)定性比。
tWCL : Write CAS Latency
可選的設(shè)置：Auto，1-8
Write CAS Latency (tWCL)，表示“寫指令到行地址控制器延時”。SDRAM內(nèi)存是隨機(jī)訪問的，這意味著內(nèi)存控制器可以把數(shù)據(jù)寫入任意的物理地址，大多數(shù)情況下，數(shù)據(jù)通 常寫入距離當(dāng)前列地址最近的頁面。tWCL表示寫入的延遲，除了DDRII，一般可以設(shè)為1T，這個參數(shù)和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是 相對的，tCL表示讀的延遲。
DRAM Bank Interleave
可選的設(shè)置：Enable， Disable
DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交錯”。這個設(shè)置用來控制是否啟用內(nèi)存交錯式(interleave)模式。Interleave模式允許內(nèi)存bank改變刷新和訪問周期。一個 bank在刷新的同時另一個bank可能正在訪問。最近的實驗表明，由于所有的內(nèi)存bank的刷新周期都是交叉排列的，這樣會產(chǎn)生一種流水線效應(yīng)。
雖然interleave模式只有在不同bank提出連續(xù)的的尋址請求時才會起作用，如果處于同一bank，數(shù)據(jù)處理時和不開啟interleave一 樣。CPU必須等待第一個數(shù)據(jù)處理結(jié)束和內(nèi)存bank的刷新，這樣才能發(fā)送另一個地址。目前所有的內(nèi)存都支持interleave模式，在可能的情況下我 們建議打開此項功能。
Disable對將減少內(nèi)存的帶寬，但使系統(tǒng)更加穩(wěn)定。
DQS Skew Control
可選的設(shè)置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew
DQS Skew Control，表示“DQS時間差控制”。穩(wěn)定的電壓可以使內(nèi)存達(dá)到更高的頻率，電壓浮動會引起較大的時間差（skew），加強(qiáng)控制力可以減少 skew，但相應(yīng)的DQS（數(shù)據(jù)控制信號）上升和下降的邊緣會出現(xiàn)電壓過高或過低。一個額外的問題是高頻信號會引起追蹤延遲。DDR內(nèi)存的解決方法是通過 簡單數(shù)據(jù)選通脈沖來增加時鐘推進(jìn)。
DDRII引進(jìn)了更先進(jìn)的技術(shù)：雙向的微分I/O緩存器來組成DQS。微分表示用一個簡單脈沖信號和一個參考點來測量信號，而并非信號之間相互比較。理論上提升和下降信號應(yīng)該是完全對成的，但事實并非如此。時鐘和數(shù)據(jù)的失諧就產(chǎn)生了DQ-DQS skew。
同樣地，設(shè)置為Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在犧牲一定性能的情況下，可以增加穩(wěn)定性。
DQS Skew Value
可選的設(shè)置：Auto，0-255，步進(jìn)值為1。
當(dāng)我們開啟了DQS skew control后，該選項用來設(shè)定增加或減少的數(shù)值。值越大，表示速度越快。
DRAM Drive Strength
可選的設(shè)置：Auto，1-8，步進(jìn)值為1。
DRAM Drive Strength（也被稱為：driving strength），表示“DRAM驅(qū)動強(qiáng)度”。這個參數(shù)用來控制內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號強(qiáng)度，數(shù)值越高代表信號強(qiáng)度越高，增加信號強(qiáng)度可以提高超頻的穩(wěn)定 性。但是并非信號強(qiáng)度高就一定好，三星的TCCD內(nèi)存芯片在低強(qiáng)度信號下性能更佳。
如果設(shè)為Auto，系統(tǒng)通常會設(shè)定為一個較低的值。對使用TCCD的芯片而言，表現(xiàn)會好一些。但是其他的內(nèi)存芯片就并非如此了，一般說來，1、3、5 、7都是性能較弱的參數(shù)，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的設(shè)置，8提供了最強(qiáng)的信號強(qiáng)度。TCCD建議參數(shù)為3、5或7，其他芯片的內(nèi)存建議設(shè)為 6或8。
DRAM Data Drive Strength
可選的設(shè)置：Auto，1-4，步進(jìn)值為1。
DRAM Data Drive Strength表示“DRAM數(shù)據(jù)驅(qū)動強(qiáng)度”。這個參數(shù)決定內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號強(qiáng)度，數(shù)值越高代表信號強(qiáng)度越高。它主要用于處理高負(fù)荷的內(nèi)存讀取時，增 加DRAM的駕馭能力。因此，如果你的系統(tǒng)內(nèi)存的讀取負(fù)荷很高，則應(yīng)將該值設(shè)置為高(Hi/High)。它有助于對內(nèi)存數(shù)據(jù)總線超頻。但如果你并沒有超 頻，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)線的信號強(qiáng)度，可以提高超頻后速度的穩(wěn)定性。此外，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號強(qiáng)度并不能增強(qiáng)SDRAM DIMM的性能。因此，除非你內(nèi)存有很高的讀取負(fù)荷或試圖超頻DIMM，建議設(shè)置DRAM Data Drive Strength的值為低(Lo/Low)。
要處理大負(fù)荷的數(shù)據(jù)流時，需要提高內(nèi)存的駕馭能力，你可以設(shè)為Hi或者High。超頻時，調(diào)高此項參數(shù)可以提高穩(wěn)定性。此外，這個參數(shù)對內(nèi)存性能幾乎沒什么影響。所以，除非超頻，一般用戶建議設(shè)為Lo/Low。
Idle Cycle Limit
可選的設(shè)置：Auto，0-256，無固定步進(jìn)值。
Idle Cycle Limit這個參數(shù)表示“空閑周期限制”。這個參數(shù)指定強(qiáng)制關(guān)閉一個也打開的內(nèi)存頁面之前的memclock數(shù)值，也就是讀取一個內(nèi)存頁面之前，強(qiáng)制對該頁面進(jìn)行重充電操作所允許的最大時間。
BIOS中的該值設(shè)置為Auto時，實際上此時執(zhí)行的是默認(rèn)值256。質(zhì)量好的內(nèi)存可以嘗試16-32。Idle Cycle Limit值越低越好。
Dynamic Counter
可選的設(shè)置：Auto， Enable， Disable。
Dynamic Counter這個參數(shù)表示“動態(tài)計數(shù)器”。這個參數(shù)指定開啟還是關(guān)閉動態(tài)空閑周期計數(shù)器。如果選擇開啟（Enable），則會每次進(jìn)入內(nèi)存頁表 (Page Table)就強(qiáng)制根據(jù)頁面沖突和頁面錯誤(conflict/page miss：PC/PM)之間通信量的比率而動態(tài)調(diào)整Idle Cycle Limit的值。這個參數(shù)和前一個Idle Cycle Limit是密切相關(guān)的，啟用后會屏蔽掉當(dāng)前的Idle Cycle Limit，并且根據(jù)沖突的發(fā)生來動態(tài)調(diào)節(jié)。
BIOS中的該值設(shè)置為Auto和關(guān)閉和一樣的。打開該設(shè)置可能會提升性能，而關(guān)閉該設(shè)置，可以使系統(tǒng)的更穩(wěn)定。
R/W Queue Bypass
可選的設(shè)置：Auto，2x，4x，8x，16x。
R/W Queue Bypass表示“讀／寫隊列忽略”。這個參數(shù)指定在優(yōu)化器被重寫及DCI (設(shè)備控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被選定前，忽略操作DCI的讀/寫隊列的時間。這個參數(shù)和前一個Idle Cycle Limit是相類似，只是優(yōu)化器影響內(nèi)存中的讀／寫隊列。
Bypass Max
可選的設(shè)置：Auto， 0x-7x， 步進(jìn)值為1。
Bypass Max表示“最大忽略時間”。這個參數(shù)表示優(yōu)化器選擇否決之前，最后進(jìn)入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被優(yōu)化器忽略的時間。
BIOS中的該值默認(rèn)為7x。建議4x或7x，兩者都提供了很好的性能及穩(wěn)定性。如果你的系統(tǒng)穩(wěn)定，則保留該值。但如果不穩(wěn)定，或者要超頻，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。該值越大，則說明系統(tǒng)性能越強(qiáng)，該值越小，則會是系統(tǒng)越穩(wěn)定。
32 Byte Granulation
可選的設(shè)置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。
32 Byte Granulation表示"32位顆?；?quot;。當(dāng)該參數(shù)設(shè)置為關(guān)閉(Disable)時，就可以選擇突發(fā)計數(shù)器，并在32位的數(shù)據(jù)存取的情況下，最優(yōu)化數(shù)據(jù)總線帶寬。因此該參數(shù)關(guān)閉后可以達(dá)到最佳性能的目的。
絕大多數(shù)情況下，建議選擇Disable(8burst)選項。開啟Enable (4burst)可以使系統(tǒng)更穩(wěn)定一些。
總結(jié)：
如今內(nèi)存對電腦性能不產(chǎn)生瓶頸，小白用戶只要看容量夠用就行了，至于菜鳥用戶，注意一下頻率。高級玩家就看看時序、閃存制作工藝吧。現(xiàn)在內(nèi)存主流的容量是4GB和8GB，主流頻率則是1600MHz（越大越好），至于時序，建議9-9-9-27以內(nèi)
對于一般用戶而言筆者建議不用太深究內(nèi)存時序的問題，只要我們知道怎么查看內(nèi)存時序就行了。如果是非常熱衷于極限超頻的發(fā)燒友的話，能熟練的掌握內(nèi)存時序，對穩(wěn)定的超頻會有很大的幫助。
簡單的來說，我們可以從主板BIOS里面設(shè)置內(nèi)存時序。找到內(nèi)存的設(shè)置選項，把參數(shù)調(diào)低，數(shù)字越小代表延遲越低，速度也就越快，然而速度越快內(nèi)存也就越不穩(wěn)定，最后有可能都開不了機(jī)，只能通過清除bios復(fù)原參數(shù)了。
因此普通用戶只需要了解內(nèi)存時序怎么看就可以了，本文前邊會給大家介紹查看內(nèi)存時序的方法，后邊是關(guān)于內(nèi)存時序的專業(yè)性內(nèi)容，有興趣的朋友或者極限硬件發(fā)燒友可以參考一下。
一、內(nèi)存時序怎么看？
1、有些內(nèi)存可以直接從外包裝或內(nèi)存表面的標(biāo)簽辨別它的時序，如圖：
上圖內(nèi)存的時序就是紅色方框內(nèi)所示的：9-9-9-24
2、用軟件cpu-z查看內(nèi)存的時序，如圖：
圖中紅色方框內(nèi)顯示的就是內(nèi)存時序，這張圖中內(nèi)存的時序是：6-6-6-18
二、內(nèi)存時序怎么調(diào)？（以下內(nèi)容能堅持看完，并且看的懂的筆者都要膜拜了！O(∩_∩)O~
與傳統(tǒng)的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：雙倍速率SDRAM），最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上，其在時鐘信號上升緣與下降緣時各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率為傳統(tǒng) SDRAM的兩倍。同樣地，對于其標(biāo)稱的如DDR400，DDR333，DDR266數(shù)值，代表其工作頻率其實僅為那些數(shù)值的一半，也就是說DDR400 工作頻率為200MHz。
FSB與內(nèi)存頻率的關(guān)系
首先請大家看看FSB(Front Side Bus：前端總線)和內(nèi)存比率與內(nèi)存實際運(yùn)行頻率的關(guān)系。
| FSB/MEM比率 | 實際運(yùn)行頻率 |
| 1/1 | 200MHz |
| 1/2 | 100MHz |
| 2/3 | 133MHz |
| 3/4 | 150MHz |
| 3/05 | 120MHz |
| 5/6 | 166MHz |
| 7/10 | 140MHz |
| 9/10 | 180MHz |
FSB與不同速度的DDR內(nèi)存之間正確的設(shè)置關(guān)系
強(qiáng)烈建議采用1：1的FSB與內(nèi)存同步的設(shè)置，這樣可以完全發(fā)揮內(nèi)存帶寬的優(yōu)勢。
內(nèi)存時序設(shè)置
內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置正確與否，將極大地影響系統(tǒng)的整體性能。下面我們將針對內(nèi)存關(guān)于時序設(shè)置參數(shù)逐一解釋，以求能讓大家在內(nèi)存參數(shù)設(shè)置中能有清晰的思路，提高電腦系統(tǒng)的性能。
涉及到的參數(shù)分別為：
- CPC : Command Per Clock
- tCL : CAS Latency Control
- tRCD : RAS to CAS Delay
- tRAS : Min RAS Active Timing
- tRP : Row Precharge Timing
- tRC : Row Cycle Time
- tRFC : Row Refresh Cycle Time
- tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
- tWR : Write Recovery Time
- ……及其他參數(shù)的設(shè)置
CPC : Command Per Clock
可選的設(shè)置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進(jìn)行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選 擇。這個參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。
顯然，CPC越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數(shù)調(diào)長。目前的大部分主板都會自動設(shè)置這個參數(shù)。
該參數(shù)的默認(rèn)值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設(shè)置為Enable(1T)。
tCL : CAS Latency Control(tCL)
可選的設(shè)置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我們在查閱內(nèi)存的時序參數(shù)時，如“3-4-4-8”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數(shù)，即CL參數(shù)。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說 是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請求觸發(fā)后，最初是 tRAS（Activeto Precharge Delay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束 就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要 的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同 時，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對內(nèi)存超頻時，應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設(shè)為3。
tRCD : RAS to CAS Delay
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的第2個參數(shù)，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數(shù)值越小，性能越好。對內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在 JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設(shè)置為3或2，但如果該值設(shè)置太低，同樣會導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時， 系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。
如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。
tRAS : Min RAS Active Timing
可選的設(shè)置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
該值就是該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的最后一個參數(shù)，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5－10之間。這個參數(shù)要根據(jù)實際情況而定，并 不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導(dǎo)致已被激活的行地址會更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太 短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應(yīng)該設(shè)置為7個時鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯誤 或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的第3個參數(shù)，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。
tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數(shù)設(shè)置太長會導(dǎo)致所有的行激活延遲過長，設(shè)為2可以減少預(yù)充電時間，從而更快地激 活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對大多數(shù)內(nèi)存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作。對于桌面計算機(jī) 來說，推薦預(yù)充電參數(shù)的值設(shè)定為2個時鐘周期，這是最佳的設(shè)置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR 內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個時鐘周期。
一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無法使用2的值，需要超頻才可以達(dá)到該參數(shù)。
tRC : Row Cycle Time(tRC)
可選的設(shè)置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時間”，它是包括行單元預(yù)充電到激活在內(nèi)的整個過程所需要的最小的時鐘周期數(shù)。其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設(shè)置該參數(shù)之前，你應(yīng)該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鐘周期后激活新的地址而 等待無謂的延時，而降低性能。然后一旦該值設(shè)置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。在這種情況下，仍會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失和損壞。
因此，最好根據(jù)tRC = tRAS + tRP進(jìn)行設(shè)置，如果你的內(nèi)存模塊的tRAS值是7個時鐘周期，而tRP的值為4個時鐘周期，則理想的tRC的值應(yīng)當(dāng)設(shè)置為11個時鐘周期。
tRFC : Row Refresh Cycle Time
可選的設(shè)置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次 發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
通常tRFC的值不能達(dá)到9，而10為最佳設(shè)置，17-19是內(nèi)存超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數(shù)穩(wěn)定值為tRC加上2-4個時鐘周期。
tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)
可選的設(shè)置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。
Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發(fā)送激活指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。
延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進(jìn)行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。于桌面計算機(jī)來說，推薦 tRRD值設(shè)定為2個時鐘周期，這是最佳的設(shè)置，此時的數(shù)據(jù)膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將 影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個時鐘周期。
tWR : Write Recovery Time
可選的設(shè)置：Auto，2，3。
Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復(fù)延時”。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預(yù)充電前，必須等待多少個時鐘周期。這段必須的時鐘周期用來確保在預(yù) 充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電 操作，會導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。
如果你使用的是DDR200和266的內(nèi)存，建議將tWR值設(shè)為2；如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設(shè)為3。
tWTR : Write to Read Delay
可選的設(shè)置：Auto，1，2。
Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數(shù)據(jù)進(jìn)入讀指令。它設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊中的同一個單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。
tWTR值為2在高時鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種情況下，也使得內(nèi)存芯片運(yùn)行于高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以 讓內(nèi)容模塊運(yùn)行于比其默認(rèn)速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設(shè)為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的 值設(shè)為1，如果系統(tǒng)不穩(wěn)定，則改為2。
tREF : Refresh Period
可選的設(shè)置：Auto， 0032-4708，其步進(jìn)值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內(nèi)存模塊的刷新周期。
先請看不同的參數(shù)在相同的內(nèi)存下所對應(yīng)的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這里表示該刷新周期尚無對應(yīng)的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。
1552= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2592= 166mhz(?.??s)
3120= 200mhz(?.??s)
---------------------
3632= 100mhz(?.??s)
4128= 133mhz(?.??s)
4672= 166mhz(?.??s)
0064= 200mhz(?.??s)
---------------------
0776= 100mhz(?.??s)
1032= 133mhz(?.??s)
1296= 166mhz(?.??s)
1560= 200mhz(?.??s)
---------------------
1816= 100mhz(?.??s)
2064= 133mhz(?.??s)
2336= 166mhz(?.??s)
0032= 200mhz(?.??s)
---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用Auto選項，主板BIOS將會查詢內(nèi)存上的一個很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存儲了內(nèi)存條的各種相關(guān)工作參數(shù)等信息，系統(tǒng)會自動根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)中最保守的設(shè)置來確定內(nèi)存的運(yùn)行參數(shù)。如過要追求最優(yōu)的性能，則需 手動設(shè)置刷新周期的參數(shù)。一般說來，15.6us適用于基于128兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為16MB的內(nèi)存），而7.8us適用于基于256兆位 內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為32MB的內(nèi)存）。注意，如果tREF刷新周期設(shè)置不當(dāng)，將會導(dǎo)致內(nèi)存單元丟失其數(shù)據(jù)。
另外根據(jù)其他的資料顯示，內(nèi)存存儲每一個bit，都需要定期的刷新來充電。不及時充電會導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的存儲單位是 bit。陣列中的每個bit都能被隨機(jī)地訪問。但如果不充電，數(shù)據(jù)只能保存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時數(shù)據(jù)就被重寫 一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性存儲器。一般通過同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO內(nèi)存每刷新 一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的內(nèi)存每列的刷新時間為15.6?s x2048行=32ms。
tREF和tRAS一樣，不是一個精確的數(shù)值。通常15.6us和3.9us都能穩(wěn)定運(yùn)行，1.95us會降低內(nèi)存帶寬。很多玩家發(fā)現(xiàn)，如果內(nèi)存質(zhì)量優(yōu)良，當(dāng)tREF刷新周期設(shè)置為3120=200mhz(?.??s)時，會得到最佳的性能／穩(wěn)定性比。
tWCL : Write CAS Latency
可選的設(shè)置：Auto，1-8
Write CAS Latency (tWCL)，表示“寫指令到行地址控制器延時”。SDRAM內(nèi)存是隨機(jī)訪問的，這意味著內(nèi)存控制器可以把數(shù)據(jù)寫入任意的物理地址，大多數(shù)情況下，數(shù)據(jù)通 常寫入距離當(dāng)前列地址最近的頁面。tWCL表示寫入的延遲，除了DDRII，一般可以設(shè)為1T，這個參數(shù)和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是 相對的，tCL表示讀的延遲。
DRAM Bank Interleave
可選的設(shè)置：Enable， Disable
DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交錯”。這個設(shè)置用來控制是否啟用內(nèi)存交錯式(interleave)模式。Interleave模式允許內(nèi)存bank改變刷新和訪問周期。一個 bank在刷新的同時另一個bank可能正在訪問。最近的實驗表明，由于所有的內(nèi)存bank的刷新周期都是交叉排列的，這樣會產(chǎn)生一種流水線效應(yīng)。
雖然interleave模式只有在不同bank提出連續(xù)的的尋址請求時才會起作用，如果處于同一bank，數(shù)據(jù)處理時和不開啟interleave一 樣。CPU必須等待第一個數(shù)據(jù)處理結(jié)束和內(nèi)存bank的刷新，這樣才能發(fā)送另一個地址。目前所有的內(nèi)存都支持interleave模式，在可能的情況下我 們建議打開此項功能。
Disable對將減少內(nèi)存的帶寬，但使系統(tǒng)更加穩(wěn)定。
DQS Skew Control
可選的設(shè)置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew
DQS Skew Control，表示“DQS時間差控制”。穩(wěn)定的電壓可以使內(nèi)存達(dá)到更高的頻率，電壓浮動會引起較大的時間差（skew），加強(qiáng)控制力可以減少 skew，但相應(yīng)的DQS（數(shù)據(jù)控制信號）上升和下降的邊緣會出現(xiàn)電壓過高或過低。一個額外的問題是高頻信號會引起追蹤延遲。DDR內(nèi)存的解決方法是通過 簡單數(shù)據(jù)選通脈沖來增加時鐘推進(jìn)。
DDRII引進(jìn)了更先進(jìn)的技術(shù)：雙向的微分I/O緩存器來組成DQS。微分表示用一個簡單脈沖信號和一個參考點來測量信號，而并非信號之間相互比較。理論上提升和下降信號應(yīng)該是完全對成的，但事實并非如此。時鐘和數(shù)據(jù)的失諧就產(chǎn)生了DQ-DQS skew。
同樣地，設(shè)置為Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在犧牲一定性能的情況下，可以增加穩(wěn)定性。
DQS Skew Value
可選的設(shè)置：Auto，0-255，步進(jìn)值為1。
當(dāng)我們開啟了DQS skew control后，該選項用來設(shè)定增加或減少的數(shù)值。值越大，表示速度越快。
DRAM Drive Strength
可選的設(shè)置：Auto，1-8，步進(jìn)值為1。
DRAM Drive Strength（也被稱為：driving strength），表示“DRAM驅(qū)動強(qiáng)度”。這個參數(shù)用來控制內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號強(qiáng)度，數(shù)值越高代表信號強(qiáng)度越高，增加信號強(qiáng)度可以提高超頻的穩(wěn)定 性。但是并非信號強(qiáng)度高就一定好，三星的TCCD內(nèi)存芯片在低強(qiáng)度信號下性能更佳。
如果設(shè)為Auto，系統(tǒng)通常會設(shè)定為一個較低的值。對使用TCCD的芯片而言，表現(xiàn)會好一些。但是其他的內(nèi)存芯片就并非如此了，一般說來，1、3、5 、7都是性能較弱的參數(shù)，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的設(shè)置，8提供了最強(qiáng)的信號強(qiáng)度。TCCD建議參數(shù)為3、5或7，其他芯片的內(nèi)存建議設(shè)為 6或8。
DRAM Data Drive Strength
可選的設(shè)置：Auto，1-4，步進(jìn)值為1。
DRAM Data Drive Strength表示“DRAM數(shù)據(jù)驅(qū)動強(qiáng)度”。這個參數(shù)決定內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號強(qiáng)度，數(shù)值越高代表信號強(qiáng)度越高。它主要用于處理高負(fù)荷的內(nèi)存讀取時，增 加DRAM的駕馭能力。因此，如果你的系統(tǒng)內(nèi)存的讀取負(fù)荷很高，則應(yīng)將該值設(shè)置為高(Hi/High)。它有助于對內(nèi)存數(shù)據(jù)總線超頻。但如果你并沒有超 頻，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)線的信號強(qiáng)度，可以提高超頻后速度的穩(wěn)定性。此外，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的信號強(qiáng)度并不能增強(qiáng)SDRAM DIMM的性能。因此，除非你內(nèi)存有很高的讀取負(fù)荷或試圖超頻DIMM，建議設(shè)置DRAM Data Drive Strength的值為低(Lo/Low)。
要處理大負(fù)荷的數(shù)據(jù)流時，需要提高內(nèi)存的駕馭能力，你可以設(shè)為Hi或者High。超頻時，調(diào)高此項參數(shù)可以提高穩(wěn)定性。此外，這個參數(shù)對內(nèi)存性能幾乎沒什么影響。所以，除非超頻，一般用戶建議設(shè)為Lo/Low。
Idle Cycle Limit
可選的設(shè)置：Auto，0-256，無固定步進(jìn)值。
Idle Cycle Limit這個參數(shù)表示“空閑周期限制”。這個參數(shù)指定強(qiáng)制關(guān)閉一個也打開的內(nèi)存頁面之前的memclock數(shù)值，也就是讀取一個內(nèi)存頁面之前，強(qiáng)制對該頁面進(jìn)行重充電操作所允許的最大時間。
BIOS中的該值設(shè)置為Auto時，實際上此時執(zhí)行的是默認(rèn)值256。質(zhì)量好的內(nèi)存可以嘗試16-32。Idle Cycle Limit值越低越好。
Dynamic Counter
可選的設(shè)置：Auto， Enable， Disable。
Dynamic Counter這個參數(shù)表示“動態(tài)計數(shù)器”。這個參數(shù)指定開啟還是關(guān)閉動態(tài)空閑周期計數(shù)器。如果選擇開啟（Enable），則會每次進(jìn)入內(nèi)存頁表 (Page Table)就強(qiáng)制根據(jù)頁面沖突和頁面錯誤(conflict/page miss：PC/PM)之間通信量的比率而動態(tài)調(diào)整Idle Cycle Limit的值。這個參數(shù)和前一個Idle Cycle Limit是密切相關(guān)的，啟用后會屏蔽掉當(dāng)前的Idle Cycle Limit，并且根據(jù)沖突的發(fā)生來動態(tài)調(diào)節(jié)。
BIOS中的該值設(shè)置為Auto和關(guān)閉和一樣的。打開該設(shè)置可能會提升性能，而關(guān)閉該設(shè)置，可以使系統(tǒng)的更穩(wěn)定。
R/W Queue Bypass
可選的設(shè)置：Auto，2x，4x，8x，16x。
R/W Queue Bypass表示“讀／寫隊列忽略”。這個參數(shù)指定在優(yōu)化器被重寫及DCI (設(shè)備控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被選定前，忽略操作DCI的讀/寫隊列的時間。這個參數(shù)和前一個Idle Cycle Limit是相類似，只是優(yōu)化器影響內(nèi)存中的讀／寫隊列。
Bypass Max
可選的設(shè)置：Auto， 0x-7x， 步進(jìn)值為1。
Bypass Max表示“最大忽略時間”。這個參數(shù)表示優(yōu)化器選擇否決之前，最后進(jìn)入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被優(yōu)化器忽略的時間。
BIOS中的該值默認(rèn)為7x。建議4x或7x，兩者都提供了很好的性能及穩(wěn)定性。如果你的系統(tǒng)穩(wěn)定，則保留該值。但如果不穩(wěn)定，或者要超頻，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。該值越大，則說明系統(tǒng)性能越強(qiáng)，該值越小，則會是系統(tǒng)越穩(wěn)定。
32 Byte Granulation
可選的設(shè)置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。
32 Byte Granulation表示"32位顆?；?quot;。當(dāng)該參數(shù)設(shè)置為關(guān)閉(Disable)時，就可以選擇突發(fā)計數(shù)器，并在32位的數(shù)據(jù)存取的情況下，最優(yōu)化數(shù)據(jù)總線帶寬。因此該參數(shù)關(guān)閉后可以達(dá)到最佳性能的目的。
絕大多數(shù)情況下，建議選擇Disable(8burst)選項。開啟Enable (4burst)可以使系統(tǒng)更穩(wěn)定一些。
總結(jié)：
如今內(nèi)存對電腦性能不產(chǎn)生瓶頸，小白用戶只要看容量夠用就行了，至于菜鳥用戶，注意一下頻率。高級玩家就看看時序、閃存制作工藝吧。現(xiàn)在內(nèi)存主流的容量是4GB和8GB，主流頻率則是1600MHz（越大越好），至于時序，建議9-9-9-27以內(nèi)
對于一般用戶而言筆者建議不用太深究內(nèi)存時序的問題，只要我們知道怎么查看內(nèi)存時序就行了。如果是非常熱衷于極限超頻的發(fā)燒友的話，能熟練的掌握內(nèi)存時序，對穩(wěn)定的超頻會有很大的幫助。
